Unità a stato solido SSD M.2 da 1 TB Samsung 9100 PRO – PCIe 5.0 x4 – NVMe 2.0

Scoprite il futuro dell’archiviazione con l’unità Samsung 9100 Pro 1TB PCIe 5.0. Progettata per offrire velocità e affidabilità senza pari, questa unità SSD è ideale per giocatori, creatori di contenuti e professionisti che esigono il meglio. Grazie alla tecnologia PCIe 5.0 x4 e NVMe 2.0, questa unità offre velocità di lettura e scrittura impressionanti, garantendo prestazioni ottimali e tempi di caricamento più rapidi per le applicazioni e i sistemi operativi.nPrestazioni eccezionalinL’unità Samsung 9100 Pro ridefinisce la velocità. Con una capacità di 1 TB e la tecnologia V-NAND TLC di Samsung, raggiunge fino a 14.700 MB/s in lettura sequenziale e 13.300 MB/s in scrittura sequenziale. Inoltre, gli elevati tassi di IOPS, pari a 1.850.000 in lettura e 2.600.000 in scrittura da 4 KB, gli permettono di gestire più attività senza sforzo, rendendo questa unità SSD uno strumento insostituibile Per qualsiasi workstation ad alte prestazioni.nSicurezza avanzatanIn un mondo in cui la sicurezza dei dati è fondamentale, Samsung 9100 Pro non delude. Equipaggiata con crittografia AES di 256 bit, offre una protezione di Classe 0 e le specifiche TCGOpal e IEEE1667 per le unità crittografate. Ciò significa che i vostri dati sono al sicuro sia a riposo che in transito, garantendovi la tranquillità di sapere che le vostre informazioni sensibili sono sempre protette.nDesign compatto e robustonOltre a essere potente e sicuro, il Samsung 9100 Pro è anche straordinariamente compatto. Con un fattore di forma M.2 2280 e dimensioni di 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, è ideale per qualsiasi configurazione hardware moderna. Nonostante la sua sottigliezza, la sua struttura robusta le consente di resistere a urti fino a 1500G, dimostrando che durata e portabilità possono andare di pari passo. Il tutto con un peso di soli 9 grammi.nCaratteristiche:n-Di forma: M.2 2280n-Capacità: 1 TBn-Interfaccia: PCIe® 5.0 x4 / NVMe™ 2.0n-Memoria di tipo: Samsung V-NAND TLCn-Memoria cache: Samsung 1GB DDR4X SDRAMn-Crittografia: Crittografia AES a 256 bit (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (Unità crittografata)n-Lettura sequenziale: fino a 14700 MB/sn-Scrittura sequenziale: fino a 13300 MB/sec.n-4KB in lettura: 1.850.000 IOPSn-Scrittura 4KB: 2.600.000 IOPSn-Resistenza agli urti: 1500G